近日中國(guó)電科公布一系列成果，顯示在國(guó)產(chǎn)碳化硅（SiC）設(shè)備及器件上取得突破。
圖：中電科55所生產(chǎn)線(xiàn)
4月17日，中國(guó)電科宣布旗下55所與一汽聯(lián)合研發(fā)的首款750V碳化硅功率芯片完成流片，首款全國(guó)產(chǎn)1200V塑封2in1碳化硅功率模塊完成A樣件試制。
報(bào)道稱(chēng)，750V碳化硅功率芯片技術(shù)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，目前已正式進(jìn)入產(chǎn)品級(jí)測(cè)試階段。
在2in1碳化硅功率模塊項(xiàng)目中，雙方技術(shù)團(tuán)隊(duì)圍繞新結(jié)構(gòu)、新工藝、新材料開(kāi)展聯(lián)合攻關(guān)，實(shí)現(xiàn)芯片襯底與外延材料制備、芯片晶圓設(shè)計(jì)與生產(chǎn)、封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、塑封工藝開(kāi)發(fā)與模塊試制等關(guān)鍵環(huán)節(jié)全流程自主創(chuàng)新。
圖：中電科SiC MOSFET產(chǎn)線(xiàn)（CCTV）
據(jù)CCTV報(bào)道，55所此前已在國(guó)內(nèi)率先突破了6英寸碳化硅MOSFET批產(chǎn)技術(shù)，碳化硅MOSFET器件在新能源汽車(chē)上批量應(yīng)用，裝車(chē)量達(dá)百萬(wàn)輛，處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先地位，5G基站用氮化鎵功率管和高線(xiàn)性二極管等系列產(chǎn)品性能及可靠性國(guó)內(nèi)領(lǐng)先。
同時(shí)，在SiC定制化和研發(fā)難度較高的設(shè)備端，中國(guó)電科48所研制的碳化硅外延爐出貨量同比大幅增長(zhǎng)。
據(jù)悉，由于碳化硅材料高熔點(diǎn)、高密度、高硬度的特性，使芯片具備了耐高壓、耐高溫、低損耗等優(yōu)越性能，碳化硅外延生長(zhǎng)爐是晶圓制造環(huán)節(jié)的專(zhuān)用核心裝備。
圖：中電科48所SiC外延生長(zhǎng)設(shè)備
碳化硅外延生長(zhǎng)爐，主要用于在碳化硅晶圓襯底上生長(zhǎng)同質(zhì)外延材料，每一顆碳化硅芯片都是基于外延層制造的結(jié)晶。48所技術(shù)專(zhuān)家表示，碳化硅外延生長(zhǎng)爐是承接襯底和芯片制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，直接影響芯片的等級(jí)和良率。
早期國(guó)內(nèi)碳化硅外延片研究和生產(chǎn)幾乎全部依賴(lài)進(jìn)口，48所通過(guò)自主研發(fā)，研制出完全對(duì)標(biāo)國(guó)外設(shè)備性能的6英寸碳化硅外延爐，經(jīng)過(guò)用戶(hù)上線(xiàn)使用驗(yàn)證，設(shè)備的技術(shù)指標(biāo)均達(dá)到行業(yè)應(yīng)用的主流水平，有力支撐了國(guó)產(chǎn)碳化硅芯片產(chǎn)業(yè)的大規(guī)模快速發(fā)展。
據(jù)報(bào)道，隨著國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（湖南）的實(shí)體化運(yùn)行，48所以外延、注入、氧化、激活等專(zhuān)用裝備為核心，結(jié)合立式擴(kuò)散爐、PVD等通用設(shè)備和半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線(xiàn)建線(xiàn)經(jīng)驗(yàn)，實(shí)現(xiàn)國(guó)內(nèi)唯一從碳化硅外延到芯片核心設(shè)備的全覆蓋，進(jìn)一步助力國(guó)產(chǎn)碳化硅芯片制造“換道超車(chē)”。
文章來(lái)源：芯片大師